杭州电子科技大学关于射频前端芯片GaN流片单一来源的公示

    采购人： 杭州电子科技大学   

    项目名称： 射频前端芯片GaN流片  

    拟采购的货物或服务的说明：

    拟采购的货物或服务的预算总金额（元）： ***   

    采用单一来源采购方式的原因及说明： 流片工艺厂商具有单一来源性, 只能通过劢曦微电子科技（上海）有限公司购买。稳懋0.25um GaN Hemt工艺具有以下特点： 1、采用100mm SiC衬底保证良好的散热功能。 2、最大支持40V的漏极电压，截止频率(ft)高达31GHz。 3、18GHz下能实现7.6W/mm的功率密度。 4、同时具备开关、低噪放和二极管的动态有源模型。 根据项目任务对流片的工艺要求，WIN NP25-20在功率密度、应用频率、流片精度和可靠性等方面具有其它工艺厂商不可替代的优势，其他品牌的产品均达不到上述技术指标，无法满足科研要求，故需要选择劢曦微电子科技（上海）有限公司代理的稳懋GaN流片服务。 

    名称： 劢曦微电子科技（上海）有限公司  

    地址：  上海市浦东新区蔡伦路85弄95号1M-B11室 

     1.本项目公告期限为5个工作日，供应商对该项目拟采用单一来源采购方式及其理由和相关需求有异议的，可以在公示期限内（截止时间为本公示发布之日后的第6个工作日），以书面形式向采购人及同级财政监管部门提出异议。
     2.  

    1.采购人信息 

   名    称： 杭州电子科技大学  

   联 系 人：   张蓓蓓 

   联系电话：  1866****087 

   传    真： / 

   地    址： 杭州电子科技大学行政楼8楼   

   
   2.同级政府采购监督管理部门 

   名    称： 浙江省财政厅政府采购监管处  

   联 系 人：  冯华/马瑞敏 

   监管部门电话： 0571-87****** 

   传    真： 0571-87056984 

   地    址： 杭州市环城西路37号   

六、附件